Número de Producto del Fabricante:
IPB12CN10N G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB12CN10N G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
12799880
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ENVIAR
IPB12CN10N G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
67A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.6mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 83µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4320 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB12C
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000096450
IPB12CN10NG
IPB12CN10N G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN017-80BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
2313
NÚMERO DE PIEZA
PSMN017-80BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
PSMN012-80BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
5050
NÚMERO DE PIEZA
PSMN012-80BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
BUK9616-75B,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
6355
NÚMERO DE PIEZA
BUK9616-75B,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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